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第1章：氮化鎵（GaN）行業(yè)界定及發(fā)展環(huán)境剖析
1.1 氮化鎵（GaN）行業(yè)的界定及統(tǒng)計說明
1.1.1 半導體及半導體材料界定
（1）半導體的界定
（2）半導體材料的界定及在半導體行業(yè)中的地位
（3）第一代半導體材料
（4）第二代半導體材料
1.1.2 第三代半導體材料及氮化鎵（GaN）界定
（1）第三代半導體材料定義
（2）第三代半導體材料分類
（3）氮化鎵（GaN）的界定
1.1.3 第三代半導體材料與第一代和第二代半導體材料對比
（1）分類
（2）性能
（3）應(yīng)用領(lǐng)域
1.1.4 本報告研究范圍界定
1.1.5 所屬國民經(jīng)濟行業(yè)分類與代碼
1.1.6 本報告的數(shù)據(jù)來源及統(tǒng)計標準說明
1.2 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)政策環(huán)境
1.2.1 行業(yè)監(jiān)管體系及機構(gòu)介紹
1.2.2 行業(yè)標準體系建設(shè)現(xiàn)狀
（1）現(xiàn)行標準匯總
（2）即將實施標準
1.2.3 行業(yè)發(fā)展相關(guān)政策規(guī)劃匯總及解讀
（1）國家層面
（2）地方層面
1.2.4 行業(yè)重點政策規(guī)劃解讀
（1）《新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》
（2）《重點新材料首批次應(yīng)用示范指導目錄（2019版）》
1.2.5 “十四五”規(guī)劃對氮化鎵（GaN）行業(yè)發(fā)展的影響分析
1.2.6 “碳中和、碳達峰”戰(zhàn)略的提出對氮化鎵（GaN）行業(yè)的影響分析
1.2.7 政策環(huán)境對行業(yè)發(fā)展的影響分析
1.3 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)經(jīng)濟環(huán)境
1.3.1 宏觀經(jīng)濟發(fā)展現(xiàn)狀
（1）中國GDP增長情況
（2）中國工業(yè)增加值變化情況
（3）固定資產(chǎn)投資情況
1.3.2 宏觀經(jīng)濟發(fā)展展望
1.3.3 行業(yè)發(fā)展與宏觀經(jīng)濟相關(guān)性分析
1.4 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)社會環(huán)境
1.4.1 集成電路嚴重依賴進口
1.4.2 移動端需求助力行業(yè)快速發(fā)展
1.4.3 社會環(huán)境對行業(yè)發(fā)展的影響
1.5 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)技術(shù)環(huán)境
1.5.1 影響氮化鎵（GaN）行業(yè)發(fā)展的核心關(guān)鍵技術(shù)分析
（1）MOCVD工藝
（2）拋光/CMP工藝
（3）GaN單晶生長方式
1.5.2 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)重點項目
1.5.3 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)技術(shù)發(fā)展與突破現(xiàn)狀
1.5.4 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)專利申請及公開情況
（1）氮化鎵（GaN）專利申請
（2）氮化鎵（GaN）專利公開
（3）氮化鎵（GaN）熱門申請人
（4）氮化鎵（GaN）熱門技術(shù)
1.5.5 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新趨勢
1.5.6 技術(shù)環(huán)境對行業(yè)發(fā)展的影響分析
第2章：全球氮化鎵（GaN）行業(yè)發(fā)展趨勢及前景預測
2.1 全球氮化鎵（GaN）行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
2.1.1 全球半導體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
（1）全球半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
（2）全球半導體行業(yè)市場現(xiàn)狀
2.1.2 全球氮化鎵（GaN）行業(yè)發(fā)展環(huán)境
（1）政策環(huán)境
（2）技術(shù)環(huán)境
2.1.3 全球氮化鎵（GaN）行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
（1）全球氮化鎵（GaN）市場總體情況
（2）全球氮化鎵（GaN）細分市場現(xiàn)狀
2.1.4 全球氮化鎵（GaN）行業(yè)應(yīng)用發(fā)展
（1）微波射頻應(yīng)用前景
（2）電力電子應(yīng)用前景
（3）光電器件應(yīng)用前景
2.2 全球氮化鎵（GaN）行業(yè)區(qū)域發(fā)展格局及重點區(qū)域市場研究
2.2.1 全球氮化鎵（GaN）行業(yè)區(qū)域發(fā)展現(xiàn)狀
2.2.2 重點區(qū)域氮化鎵（GaN）行業(yè)發(fā)展分析
（1）美國氮化鎵（GaN）行業(yè)
（2）歐洲氮化鎵（GaN）行業(yè)
（3）日本氮化鎵（GaN）行業(yè)
2.3 全球氮化鎵（GaN）行業(yè)競爭格局及代表性企業(yè)案例分析
2.3.1 全球氮化鎵（GaN）行業(yè)企業(yè)兼并重組動態(tài)
2.3.2 全球氮化鎵（GaN）行業(yè)競爭格局
2.3.3 全球氮化鎵（GaN）行業(yè)代表性企業(yè)布局案例
（1）英飛凌（Infineon）
（2）科銳Cree（Wolfspeed）
（3）美國Qorvo
（4）美國EPC
（5）住友化學
2.4 全球氮化鎵（GaN）行業(yè)發(fā)展趨勢及市場前景預測
2.4.1 全球氮化鎵（GaN）行業(yè)發(fā)展趨勢
2.4.2 全球氮化鎵（GaN）行業(yè)前景預測
第3章：中國氮化鎵（GaN）行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與市場痛點分析
3.1 中國半導體及半導體材料行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
3.1.1 中國半導體行業(yè)發(fā)展歷程
3.1.2 中國半導體市場規(guī)模分析
3.1.3 中國半導體競爭格局分析
（1）集成電路設(shè)計業(yè)競爭格局
（2）集成電路封測業(yè)競爭格局
3.1.4 中國半導體產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分析
3.1.5 中國半導體區(qū)域分布情況
3.1.6 中國半導體行業(yè)前景分析
（1）中國半導體行業(yè)發(fā)展趨勢分析
（2）中國半導體行業(yè)發(fā)展前景預測
3.2 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)發(fā)展歷程及市場特征
3.2.1 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)發(fā)展歷程
3.2.2 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)市場特征
3.3 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)供需現(xiàn)狀
3.3.1 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)參與者類型
3.3.2 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)供給狀況
（1）產(chǎn)能情況
（2）產(chǎn)值情況
3.3.3 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)需求狀況
（1）氮化鎵（GaN）在電力電子器件領(lǐng)域需求情況
（2）氮化鎵（GaN）在射頻器件領(lǐng)域需求情況
3.3.4 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)價格水平及走勢
3.4 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)市場規(guī)模
3.5 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)發(fā)展痛點分析
第4章：中國氮化鎵（GaN）行業(yè)競爭狀態(tài)及市場格局分析
4.1 氮化鎵（GaN）行業(yè)波特五力模型分析
4.1.1 行業(yè)現(xiàn)有競爭者分析
4.1.2 行業(yè)潛在進入者威脅
4.1.3 行業(yè)替代品威脅分析
4.1.4 行業(yè)供應(yīng)商議價能力分析
4.1.5 行業(yè)購買者議價能力分析
4.1.6 行業(yè)競爭情況總結(jié)
4.2 氮化鎵（GaN）行業(yè)投融資、兼并與重組分析
4.2.1 氮化鎵（GaN）行業(yè)投融資金額
4.2.2 氮化鎵（GaN）行業(yè)投資事件
4.2.3 氮化鎵（GaN）行業(yè)融資事件
4.3 氮化鎵（GaN）行業(yè)市場進入與退出壁壘
4.4 氮化鎵（GaN）行業(yè)市場格局及集中度分析
4.4.1 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)市場競爭格局
（1）上市企業(yè)業(yè)務(wù)布局情況
（2）非上市企業(yè)業(yè)務(wù)布局情況
4.4.2 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)市場集中度分析
4.5 氮化鎵（GaN）行業(yè)區(qū)域發(fā)展格局及重點區(qū)域市場解析
4.5.1 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)區(qū)域發(fā)展格局
4.5.2 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)重點區(qū)域市場解析
（1）北京市
（2）蘇州市
第5章：中國氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)鏈梳理及全景深度解析
5.1 氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)鏈梳理及成本結(jié)構(gòu)分析
5.1.1 半導體產(chǎn)業(yè)鏈梳理
5.1.2 氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)鏈梳理
5.1.3 氮化鎵（GaN）成本結(jié)構(gòu)分析
5.2 氮化鎵（GaN）上游原材料市場分析
5.2.1 石英市場分析
（1）相關(guān)概述
（2）市場供應(yīng)現(xiàn)狀
（3）市場供應(yīng)趨勢
5.2.2 石油焦市場分析
（1）相關(guān)概述
（2）市場供應(yīng)現(xiàn)狀
（3）市場供應(yīng)趨勢
5.2.3 金屬鎵市場分析
（1）相關(guān)概述
（2）市場供應(yīng)現(xiàn)狀
（3）市場供應(yīng)趨勢
5.2.4 關(guān)鍵設(shè)備
5.3 氮化鎵（GaN）下游應(yīng)用領(lǐng)域市場分析
5.3.1 氮化鎵（GaN）下游應(yīng)用概述
5.3.2 電力電子版塊
（1）應(yīng)用現(xiàn)狀
（2）市場規(guī)模
（3）市場前景
5.3.3 微波射頻版塊
（1）應(yīng)用現(xiàn)狀
（2）市場規(guī)模
（3）市場前景
5.3.4 光電子版塊
（1）應(yīng)用現(xiàn)狀
（2）市場規(guī)模
（3）市場前景
5.4 氮化鎵（GaN）銷售渠道發(fā)展現(xiàn)狀
第6章：中國氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)鏈代表性企業(yè)案例研究
6.1 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)代表性企業(yè)發(fā)展布局對比
6.2 中國氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)鏈代表性企業(yè)案例研究（以企業(yè)實際可研究的內(nèi)容為準）
6.2.1 華潤微電子有限公司
（1）企業(yè)基本信息
（2）企業(yè)經(jīng)營情況分析
（3）企業(yè)業(yè)務(wù)布局及產(chǎn)品介紹
（4）企業(yè)銷售網(wǎng)絡(luò)布局
（5）企業(yè)發(fā)展氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)的優(yōu)劣勢分析
6.2.2 三安光電股份有限公司
（1）企業(yè)發(fā)展歷程及基本信息
（2）企業(yè)運營現(xiàn)狀
（3）企業(yè)的業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)分析
（4）企業(yè)氮化鎵業(yè)務(wù)布局
（5）企業(yè)銷售網(wǎng)絡(luò)分析
（6）企業(yè)發(fā)展第三代半導體材料業(yè)務(wù)的優(yōu)劣勢分析
6.2.3 杭州士蘭微電子股份有限公司
（1）企業(yè)發(fā)展簡況分析
（2）企業(yè)經(jīng)營情況分析
（3）企業(yè)業(yè)務(wù)架構(gòu)及產(chǎn)品介紹
（4）企業(yè)銷售網(wǎng)絡(luò)
（5）企業(yè)研發(fā)能力
（6）企業(yè)核心競爭力分析
（7）企業(yè)氮化鎵業(yè)務(wù)的優(yōu)劣勢分析
6.2.4 英諾賽科（珠海）科技有限公司
（1）企業(yè)發(fā)展歷程及基本信息
（2）企業(yè)運營現(xiàn)狀
（3）企業(yè)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分析
（4）企業(yè)發(fā)展氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)的優(yōu)劣勢分析
6.2.5 成都海威華芯有限公司
（1）企業(yè)基本信息
（2）企業(yè)氮化鎵產(chǎn)品布局
（3）企業(yè)運營現(xiàn)狀
（4）企業(yè)研發(fā)能力分析
（5）企業(yè)發(fā)展氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)的優(yōu)劣勢分析
6.2.6 江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司
（1）企業(yè)發(fā)展歷程及基本信息
（2）企業(yè)運營現(xiàn)狀
（3）企業(yè)融資情況分析
（4）企業(yè)氮化鎵業(yè)務(wù)分析
（5）企業(yè)發(fā)展氮化鎵業(yè)務(wù)的優(yōu)劣勢分析
6.2.7 聞泰科技股份有限公司
（1）企業(yè)基本信息
（2）企業(yè)氮化鎵經(jīng)營情況
（3）企業(yè)氮化鎵產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
（4）企業(yè)氮化鎵研發(fā)情況
（5）企業(yè)發(fā)展氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)的優(yōu)劣勢分析
6.2.8 大連芯冠科技有限公司
（1）企業(yè)基本信息
（2）企業(yè)運營現(xiàn)狀
（3）企業(yè)氮化鎵產(chǎn)品布局
（4）企業(yè)發(fā)展氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)的優(yōu)劣勢分析
6.2.9 蘇州能訊高能半導體有限公司
（1）企業(yè)基本信息
（2）企業(yè)運營現(xiàn)狀
（3）企業(yè)研發(fā)能力
（4）企業(yè)融資歷程
（5）企業(yè)氮化鎵（GaN）產(chǎn)品布局
（6）企業(yè)發(fā)展氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)的優(yōu)劣勢分析
6.2.10 蘇州晶湛半導體有限公司
（1）企業(yè)基本信息
（2）企業(yè)運營現(xiàn)狀
（3）企業(yè)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
（4）企業(yè)科研實力
（5）企業(yè)融資歷程
（6）企業(yè)發(fā)展氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)的優(yōu)劣勢分析
6.2.11 東莞市中鎵半導體科技有限公司
（1）企業(yè)基本信息
（2）企業(yè)運營現(xiàn)狀
（3）企業(yè)氮化鎵產(chǎn)品分析
（4）企業(yè)發(fā)展第三代半導體材料業(yè)務(wù)的優(yōu)劣勢分析
第7章：中國氮化鎵（GaN）行業(yè)市場前瞻及投資策略建議
7.1 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)發(fā)展?jié)摿υu估
7.1.1 行業(yè)所處生命周期階段識別
7.1.2 行業(yè)發(fā)展驅(qū)動與制約因素總結(jié)
（1）行業(yè)發(fā)展驅(qū)動因素
（2）行業(yè)發(fā)展的制約因素
7.1.3 行業(yè)發(fā)展?jié)摿υu估
7.2 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)發(fā)展前景預測
7.3 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)發(fā)展趨勢預判
7.4 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)投資價值評估
7.5 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)投資機會分析
7.6 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)投資風險預警
7.7 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)投資策略與建議
7.8 中國氮化鎵（GaN）行業(yè)可持續(xù)發(fā)展建議
圖表目錄
圖表1：絕緣體、半導體以及導體常見電導率范圍
圖表2：砷化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域
圖表3：第三代半導體特性
圖表4：第三代半導體材料的分類
圖表5：第一代、第二代、第三代半導體材料概覽
圖表6：主要半導體材料的性能對比（單位：ev，×10-7cm/s，W/cm·K等）
圖表7：第一代、第二代、第三代半導體應(yīng)用領(lǐng)域簡析
圖表8：氮化鎵（GaN）行業(yè)所屬的國民經(jīng)濟分類
圖表9：報告的研究方法及數(shù)據(jù)來源說明
圖表10：氮化鎵（GaN）行業(yè)監(jiān)管體系及機構(gòu)介紹
圖表11：截至2022年氮化鎵（GaN）行業(yè)現(xiàn)行標準匯總
圖表12：截至2022年氮化鎵（GaN）行業(yè)即將實施標準匯總
圖表13：截至2022年中國氮化鎵（GaN）行業(yè)政策規(guī)劃匯總及解讀（國家層面）
圖表14：截至2022年中國氮化鎵（GaN）行業(yè)地方層面政策及解讀
圖表15：《新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》相關(guān)內(nèi)容解讀
圖表16：《重點新材料首批次應(yīng)用示范指導目錄（2019版）》-第三代半導體材料詳情
圖表17：2010-2022年中國國內(nèi)生產(chǎn)總值及其增長（單位：萬億元，%）
圖表18：2013-2022年中國規(guī)模以上工業(yè)增加值及增長率走勢圖（單位：萬億元，%）
圖表19：2011-2022年中國固定資產(chǎn)投資（不含農(nóng)戶）增長速度（單位：萬億元，%）
圖表20：2023年中國GDP的各機構(gòu)預測（單位：%）
圖表21：2016-2022年我國集成電路進出口金額及逆差金額情況（單位：億美元）
圖表22：2016-2022年中國手機網(wǎng)民規(guī)模及占比情況（單位：億人，%）
圖表23：HVPE生長設(shè)備示意圖
圖表24：HVPE技術(shù)化學反應(yīng)
圖表25：THVPE技術(shù)化學反應(yīng)
圖表26：氨熱法生長過程
圖表27：鈉流法的主要生長過程
圖表28：國家重點研發(fā)計劃2020年度立項項目清單（與第三代半導體相關(guān)）
圖表29：國家重點研發(fā)計劃2022年度項目申報計劃（與第三代半導體相關(guān)）（一）
圖表30：國家重點研發(fā)計劃2022年度項目申報計劃（與第三代半導體相關(guān)）（二）
圖表31：中國氮化鎵（GaN）行業(yè)技術(shù)和產(chǎn)品進展
圖表32：2011-2022年中國氮化鎵（GaN）相關(guān)專利申請量變化圖（單位：件）
圖表33：2012-2022年中國氮化鎵（GaN）相關(guān)專利公開數(shù)量變化圖（單位：件）
圖表34：截至2022年中國氮化鎵（GaN）相關(guān)專利申請人（前十名）（單位：件）
圖表35：截至2022年中國氮化鎵（GaN）熱門技術(shù)（前十名）（單位：件）
圖表36：中國氮化鎵（GaN）行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新趨勢
圖表37：全球半導體產(chǎn)業(yè)遷移路徑圖
圖表38：全球半導體產(chǎn)業(yè)遷移結(jié)構(gòu)
圖表39：2012-2022年全球半導體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模（單位：十億美元，%）
圖表40：2016-2022年全球半導體材料市場規(guī)模占半導體市場規(guī)模比重情況（單位：%）
圖表41：2020-2022年全球主要國家和地區(qū)的氮化鎵及第三代半導體材料相關(guān)重點政策
圖表42：2020-2022年全球主要國家和地區(qū)的氮化鎵及第三代半導體材料研發(fā)項目示例
圖表43：2023-2028年全球主要半導體材料的滲透率及預測（單位：%）
圖表44：2018-2022年全球氮化鎵器件市場規(guī)模（單位：億美元）
圖表45：2018-2022年全球光電氮化鎵器件市場規(guī)模（單位：億美元）
圖表46：2018-2022年全球射頻氮化鎵器件市場規(guī)模（單位：億美元）
圖表47：2018-2022年全球功率氮化鎵器件市場規(guī)模（單位：億美元）
圖表48：2023-2028年年5G宏基站建設(shè)規(guī)劃預測（單位：萬個）
圖表49：2023-2028年氮化鎵在5G宏基站的市場規(guī)模預測（單位：萬個，%，美元）
圖表50：2023-2028年全球GaN軍事市場發(fā)展前景（單位：億美元）
圖表51：氮化鎵功率器件在快速充電器中使用案例示例
圖表52：2023-2028年全球GaN充電器產(chǎn)品市場發(fā)展前景（單位：億元）
圖表53：2022年全球GaN半導體市場區(qū)域分布（單位：%）
圖表54：2018-2022年美國氮化鎵器件市場規(guī)模（單位：億美元）
圖表55：美國GaN氮化鎵代表性企業(yè)現(xiàn)狀
圖表56：近年美國GaN氮化鎵相關(guān)重點研發(fā)項目情況
圖表57：2018-2022年歐洲氮化鎵器件市場規(guī)模（單位：億美元）
圖表58：歐洲氮化鎵行業(yè)代表企業(yè)現(xiàn)狀
圖表59：日本氮化鎵行業(yè)代表企業(yè)現(xiàn)狀
圖表60：2018-2022年全球氮化鎵行業(yè)大型并購活動示例
圖表61：全球主要地區(qū)氮化鎵行業(yè)代表性企業(yè)分布圖
圖表62：2022年全球氮化鎵功率和射頻元件市場份額（單位：%）
圖表63：2017-2022年財年英飛凌（Infineon）公司經(jīng)營情況（單位：億歐元）
圖表64：英飛凌氮化鎵功率半導體產(chǎn)品示例
圖表65：2016-2022年財年英飛凌功率器件經(jīng)營情況（單位：億只，億元，元/萬只，%）
圖表66：2018-2022財年科銳Cree公司經(jīng)營情況（單位：百萬美元）
圖表67：科銳Cree公司氮化鎵射頻產(chǎn)品
圖表68：2018-2022財年美國Qorvo公司經(jīng)營情況（單位：億美元）
圖表69：美國Qorvo公司氮化鎵（GaN）分立式晶體管產(chǎn)品示例
圖表70：2022年美國EPC公司氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)經(jīng)營動態(tài)
圖表71：美國EPC公司eGaN FET和IC產(chǎn)品產(chǎn)品示例
圖表72：2017-2022財年住友化學主要經(jīng)濟指標分析（單位：億日元）
圖表73：住友化學的氮化鎵相關(guān)產(chǎn)品示例
圖表74：全球氮化鎵產(chǎn)品應(yīng)用發(fā)展趨勢圖
圖表75：氮化鎵射頻器件的替代優(yōu)勢
圖表76：2023-2028年全球氮化鎵元件市場規(guī)模預測（單位：億美元）
圖表77：中國半導體行業(yè)發(fā)展歷程
圖表78：2015-2022年中國半導體市場規(guī)模及增長情況（單位：億美元，%）
圖表79：2018-2022年國內(nèi)TOP10 IC設(shè)計企業(yè)上榜門檻及規(guī)模占比情況（單位：億元，%）
圖表80：2022年我國集成電路產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模結(jié)構(gòu)圖（按銷售額）（單位：%）
圖表81：集成電路封裝行業(yè)產(chǎn)業(yè)區(qū)域特征分析
圖表82：2023-2028年中國半導體行業(yè)前景預測（單位：億美元）
圖表83：中國第三代半導體材料行業(yè)發(fā)展歷程
圖表84：中國氮化鎵（GaN）行業(yè)市場特征
圖表85：氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈主要參與企業(yè)
圖表86：截至2022年國內(nèi)GaN晶圓制造產(chǎn)線匯總
圖表87：截至2022年我國氮化鎵（GaN）產(chǎn)能統(tǒng)計（單位：萬片/年，%）
圖表88：2017-2022年中國SiC、GaN電子電力和GaN微波射頻產(chǎn)值（單位：億元）
圖表89：2022年我國SiC、GaN電力電子器件下游應(yīng)用領(lǐng)域（單位：%）
圖表90：2022年我國GaN射頻器件下游應(yīng)用領(lǐng)域（單位：%）
圖表91：2018-2022年0V SiC MOSFET、GaN HEMT和Si IGBT價格比較（單位：元/A）
圖表92：2017-2022年中國氮化鎵（GaN）行業(yè)市場規(guī)模（單位：億元）
圖表93：中國氮化鎵（GaN）行業(yè)發(fā)展痛點分析
圖表94：我國氮化鎵（GaN）行業(yè)現(xiàn)有企業(yè)的競爭分析
圖表95：我國氮化鎵（GaN）行業(yè)潛在進入者威脅分析
圖表96：我國氮化鎵（GaN）行業(yè)對下游客戶議價能力分析
圖表97：中國氮化鎵（GaN）行業(yè)五力競爭綜合分析
圖表98：2017-2022年中國氮化鎵（GaN）行業(yè)投融資金額（單位：億元）
圖表99：2022年國內(nèi)主要氮化鎵（GaN）行業(yè)投資擴產(chǎn)情況（單位：億元）
圖表100：2022年國內(nèi)主要氮化鎵（GaN）行業(yè)融資情況
圖表101：中國氮化鎵（GaN）行業(yè)市場進入與退出壁壘分析
圖表102：國內(nèi)包含氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)產(chǎn)品的上市公司
圖表103：國內(nèi)上市企業(yè)氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)布局情況
圖表104：國內(nèi)主流企業(yè)氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)布局情況
圖表105：2022年中國氮化鎵（GaN）企業(yè)分布地圖
圖表106：北京市氮化鎵（GaN）相關(guān)產(chǎn)業(yè)支持政策
圖表107：北京市發(fā)展氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢資源
圖表108：北京市氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)布局情況
圖表109：蘇州市氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)政策
圖表110：半導體產(chǎn)業(yè)鏈概覽
圖表111：氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)
圖表112：知名企業(yè)硅基GaN功率產(chǎn)品的成本構(gòu)成（單位：%）
圖表113：中國石英市場的供應(yīng)情況
圖表114：2014-2022年中國石油焦產(chǎn)量（單位：萬噸）
圖表115：2019-2022年中國石油焦（合格品）供應(yīng)價格變化趨勢（單位：元/噸）
圖表116：2012-2022年中國粗鎵供給產(chǎn)量（單位：噸）
圖表117：氮化鎵上游關(guān)鍵設(shè)備供應(yīng)商情況
圖表118：2022年氮化鎵（GaN）下游應(yīng)用領(lǐng)域結(jié)構(gòu)（單位：%）
圖表119：應(yīng)用于新能源汽車的GaN芯片
圖表120：2023-2028年中國新能源汽車市場SiC、GaN功率市場規(guī)模及預測（單位：億元）

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